《固体电子学研究与进展》创刊于1981年，由南京电子器件研究所主办，中国电子科技集团公司主管，是国内无线电电子学兼具学术深度与实践导向的重要刊物。
- 常设三维集成射频微系统(专栏)、器件物理与器件模拟、射频微波与太赫兹、光电子学、硅微电子学等特色栏目。
- 涵盖电子电信、理学、自动化与计算机技术、电气工程等多个一级学科。
- 已收录于统计源期刊(中国科技论文优秀期刊)、知网收录(中)、维普收录(中)等学术数据库。
简介
主编：
杨乃彬
咨询收稿方向期刊信息
非官网，仅提供咨询
期刊影响因子
0.29
年发文量
105
88
85
87
85
85
90
期刊他引率
0.82
0.85
0.82
0.83
0.82
0.86
0.84
平均引文率
2.6
10
10.9
11.6
12.3
13.9
12.3
出版地区
江苏
语言
中文
期刊文章
异质结充放电局域电子气充放电局域电子气势垒电压控制的动态电流模型漂移电子气局域电子气
GaN HFET中局域电子气产生的动态电流
南京电子器件研究所; 微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室
氮化镓微波功率管场板
基站应用高线性高效率50 V GaN HEMT
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所; 中电科技德清华莹电子有限公司; 南京国博电子有限公司
界面陷阱碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管迁移率损耗
SiO2/SiC界面陷阱对SiC MOSFET开关损耗的影响
安徽工业大学电气与信息工程学院
SIGE异质结双极晶体管简洁模型噪声建模四噪声参数
SiGe HBT高频相关噪声的简洁建模
西南科技大学信息工程学院
体衬底氮化镓肖特基二极管肖特基效应Fowler-Nordheim隧穿
自支撑衬底n-GaN肖特基接触的电流输运机制研究
物联网技术应用教育部工程研究中心江南大学电子工程系
异质结碳化硅P-I-N二极管反向恢复高频
混合P-i-N和异质结二极管的设计与仿真
哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
GaN芯片热仿真结温有限元分析
基于GaN功率器件的热仿真技术研究
微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室南京电子器件研究所; 固体微结构物理国家实验室南京大学
GaAs功率放大器KU波段微波单片集成电路
Ku波段12 W GaAs pHMET功率MMIC
海军驻南京地区电子设备军事代表室
参考文献
固体电子学研究与进展主要参考文献期刊
《Journal of Semiconductors》
《半导体技术》
《物理学报》
《微电子学》
《电子学报》
《微波学报》
《电子与封装》
《电子器件》
《电子元件与材料》
《Chinese Physics B》
固体电子学研究与进展主要引证文献期刊
《半导体技术》
《微电子学》
《Journal of Semiconductors》
《电子与封装》
《电子器件》
《电子元件与材料》
《现代电子技术》
《微电子学与计算机》
《电子设计工程》
《微纳电子技术》
荣誉收录和分类索引
相关杂志
投稿与订阅
《固体电子学研究与进展》由南京电子器件研究所主办，国内统一刊号 32-1110/TN、国际标准刊号 1000-3819，重点刊发无线电电子学领域研究成果。为规范投稿流程，现将相关注意事项说明如下：
（1）文献引证方式采用注释体例。注释用尾注，置于文末。 （2）作者简介在稿件首页地脚。顺序列出：姓名(出生年-)，性别(民族)，籍贯，工作单位及职务，职称，学位，学术简历及研究方向。 （3）中文摘要为150-300字。摘要的内容应包括目的、方法、实验结果和结论；综述性、评论性文章可写指示性摘要。摘要中不应出现“本文、我们、作者”之类的词语。 （4）自投稿之日起３个月内未接到用稿通知，请自行处理文稿。切忌...